技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 25 @500mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-39
外形尺寸/封装: TO-39
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Semicoa Semiconductor | 完全替代 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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2N3468
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Central Semiconductor | 完全替代 | TO-39-3 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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2N3468
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Semicoa | 完全替代 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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JANTX2N3468L
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-5 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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