技术参数/额定电压(DC): 45.0 V
技术参数/额定电流: 500 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.92 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.93 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BCX19
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Zetex | 完全替代 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCX19.. 晶体管, NPN
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Central Semiconductor | 完全替代 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCX19.. 晶体管, NPN
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BCX19
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCX19.. 晶体管, NPN
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BCX19
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCX19.. 晶体管, NPN
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BCX19
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Multicomp | 完全替代 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCX19.. 晶体管, NPN
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BCX19LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BCX19LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 225 mW, 500 mA, 40 hFE
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 |
放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 |
放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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MMBT6429LT1
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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MMBT6429LT1
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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