技术参数/耗散功率: 25 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 30 @250mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 25 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 25000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-66
外形尺寸/封装: TO-66
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N3740
|
ETC | 功能相似 |
Trans GP BJT PNP 60V 4A 3Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve
|
|||
|
2N3740
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-66-2 |
Trans GP BJT PNP 60V 4A 3Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve
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