技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 4.00 A
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/输出电压: 60 V
技术参数/输出电流: 4 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 40 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/热阻: 83.3℃/W (RθJA)
技术参数/集电极最大允许电流: 4A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750 @2A, 3V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 15000
技术参数/额定功率(Max): 40 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 15
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 40 W
技术参数/输入电压: 5 V
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-225-3
外形尺寸/长度: 11.04 mm
外形尺寸/宽度: 2.66 mm
外形尺寸/高度: 2.66 mm
外形尺寸/封装: TO-225-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BD677
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS BD677 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
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BD677
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Central Semiconductor | 功能相似 | SIP |
STMICROELECTRONICS BD677 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
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BD677A
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Multicomp | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS BD677A 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
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MJE800STU
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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MJE800STU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-126-3 |
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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