技术参数/正向电压: 1.3V @1A
技术参数/反向恢复时间: 500 ns
技术参数/正向电流: 1 A
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 30 A
技术参数/正向电压(Max): 1.3 V
技术参数/正向电流(Max): 1 A
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-204AL-2
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/封装: DO-204AL-2
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
RGP10M-E3/54
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-204AL |
VISHAY RGP10M-E3/54 Fast / Ultrafast Diode, 1kV, 1A, Single, 1.3V, 500ns, 30A
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RGP10M-E3/73
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Vishay Siliconix | 功能相似 | 2 |
1A，Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。 薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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RGP10M-E3/73
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-41 |
1A，Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。 薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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RGP10M-E3/73
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-204AL-2 |
1A，Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。 薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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RGP10MEHE3/73
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VISHAY (威世) | 类似代替 | DO-204AL |
Diode Switching 1kV 1A 2Pin DO-204AL Ammo
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RGP10MEHE3/73
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-204AL-2 |
Diode Switching 1kV 1A 2Pin DO-204AL Ammo
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RGP10MHE3/73
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VISHAY (威世) | 类似代替 | DO-204AL |
DIODE GEN PURP 1kV 1A DO204AL
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