技术参数/漏源极电阻: 85 Ω
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/栅源击穿电压: 30 V
技术参数/击穿电压: 30 V
技术参数/输入电容(Ciss): 8pF @10V(Vgs)
技术参数/额定功率(Max): 400 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/长度: 4.8 mm
外形尺寸/宽度: 4.2 mm
外形尺寸/高度: 5.2 mm
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Box (TB)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PMBFJ174,215
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PMBFJ174,215 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET
|
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