技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/额定电流: 100 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 187 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 35 @5mA, 10V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 35 @5mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 385 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SOT-363-6
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 1.25 mm
外形尺寸/高度: 0.9 mm
外形尺寸/封装: SOT-363-6
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MUN5211DW1T1
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
Dual Bias Resistor Transistors
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MUN5211DW1T1
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-363-6 |
Dual Bias Resistor Transistors
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MUN5211DW1T1
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 |
Dual Bias Resistor Transistors
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MUN5211DW1T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SC-70-6 |
ON SEMICONDUCTOR MUN5211DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363
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MUN5211T1
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-3 |
MUN5211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-323/SC-70 marking/标记 8A
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