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型号： 2SJ554-E
描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET
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品 牌： Renesas Electronics (瑞萨电子)
封 装： TO-3
货 期：
包装方式： Tube
标准包装数： 1
28.45  元 28.45元
5+:
￥ 33.2830
50+:
￥ 31.8606
200+:
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500+:
￥ 30.8650
1000+:
￥ 30.6659
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技术参数/极性: P-CH

技术参数/耗散功率: 100 W

技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 45A

技术参数/上升时间: 160 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 2500pF @10V(Vds)

技术参数/下降时间: 240 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 100000 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-3

外形尺寸/封装: TO-3

物理参数/材质: Silicon

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2SJ554 2SJ554 HITACHI (日立) 完全替代 TO-3
硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET
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