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型号: PSMN1R2-25YLC
描述: NXP PSMN1R2-25YLC 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00105 ohm, 10 V, 1.45 V
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封 装: SOT-669
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包装方式: Cut Tape (CT)
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技术参数/针脚数: 4

技术参数/漏源极电阻: 0.00105 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 179 W

技术参数/阈值电压: 1.45 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 25 V

技术参数/输入电容(Ciss): 4173pF @12V(Vds)

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 179 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: SOT-669

外形尺寸/长度: 5 mm

外形尺寸/宽度: 4.1 mm

外形尺寸/高度: 1.1 mm

外形尺寸/封装: SOT-669

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

其他/制造应用: Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Communications & Networking

符合标准/RoHS标准: Exempt

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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