技术参数/耗散功率: 710mW (Ta)
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/输入电容(Ciss): 531pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 710 mW
技术参数/耗散功率(Max): 710mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: WDFN-6
外形尺寸/封装: WDFN-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTLJF3117PT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | WDFN-6 |
P 通道 MOSFET，带肖特基二极管，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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