技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 250 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 375mW (Ta)
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/漏源击穿电压: -40.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -50.0 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 3.5pF @15V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 375mW (Ta)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-72-4
外形尺寸/封装: TO-72-4
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
3N163-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-72 |
TRANSISTOR 50mA, 40V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-206AF, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, TO-72, 4Pin, FET General Purpose Small Signal
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3N163-E3
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Vishay Intertechnology | 类似代替 |
TRANSISTOR 50mA, 40V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-206AF, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, TO-72, 4Pin, FET General Purpose Small Signal
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