技术参数/耗散功率: 8000 mW
技术参数/输出功率: 2 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 8000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/高度: 6.6 mm
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 85412900951
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MRF227
|
Advanced Semiconductor | 功能相似 | TO-39 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39, TO-39, 3Pin
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MRF237
|
Advanced Semiconductor | 功能相似 | TO-39 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39, TO-39, 3Pin
|
||
|
SD1127
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Advanced Semiconductor | 功能相似 | TO-39 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.64A I(C), 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39, TO-39, 3Pin
|
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