技术参数/容差: ±5 %
技术参数/正向电压: 1.2V @200mA
技术参数/耗散功率: 0.5 W
技术参数/测试电流: 4.2 mA
技术参数/稳压值: 30 V
技术参数/额定功率(Max): 500 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-35
外形尺寸/长度: 4.56 mm
外形尺寸/封装: DO-35
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Panjit (强茂) | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Motorola (摩托罗拉) | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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先科ST (先科) | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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CHENG-YI | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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New Jersey Semiconductor | 完全替代 | 2 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Microchip (微芯) | 完全替代 | DO-7 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Philips (飞利浦) | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5256B
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | DO-204AH |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5256B
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Rectron Semiconductor | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5256B
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5256B
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NTE Electronics | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5256B
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Freescale (飞思卡尔) | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5256B
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5256B
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5256B 单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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