技术参数/钳位电压: 21.5 V
技术参数/测试电流: 5 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 600 A
技术参数/脉冲峰值功率: 5000 W
技术参数/最小反向击穿电压: 14.4 V
技术参数/正向电压(Max): 3.5 V
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温: -55℃ ~ 175℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: P-600
外形尺寸/封装: P-600
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Box
其他/制造应用: 汽车级
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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5KP13A
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JXND (嘉兴南电) | 完全替代 | R-6 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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Surge Components | 完全替代 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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Panjit (强茂) | 完全替代 | P-600 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | Case P600 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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Transys Electronics | 完全替代 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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EIC | 完全替代 | D-6 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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Changzhou ZhongGuang (常州中光) | 完全替代 | R-6 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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5KP13A
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Littelfuse (力特) | 完全替代 | P-600 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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5KP13A
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Diotec Semiconductor | 完全替代 |
硅雪崩二极管 - 5000瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 5000 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
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