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技术参数/电源电压(DC): 9.00V (min)
技术参数/上升/下降时间: 570ns, 430ns
技术参数/输出接口数: 2
技术参数/输出电压: ≤100 V
技术参数/输出电流: ≤2.00 A
技术参数/静态电流: 200 µA
技术参数/上升时间: 570 ns
技术参数/下降时间: 430 ns
技术参数/下降时间(Max): 430 ns
技术参数/上升时间(Max): 570 ns
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压: 9V ~ 14V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 4.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.9 mm
外形尺寸/高度: 1.45 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Rail, Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LM5100BMAX/NOPB
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers
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LM5100CMA/NOPB
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments ### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
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LM5100CMA/NOPB
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments ### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
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