技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 1 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 330 mW
技术参数/阈值电压: 1.6 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/上升时间: 6 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 50pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 275 mW
技术参数/下降时间: 7 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 275mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323-3
外形尺寸/封装: SOT-323-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002W
|
CJ/江苏长电/长晶 | 功能相似 | SOD-123 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
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Panjit (强茂) | 功能相似 | SOT-323 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
|
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2N7002W
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CJ (长电科技) | 功能相似 | SOT-323 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
|
||
2N7002W
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TY Semiconductor | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
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2N7002W
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Luguang Electronic | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
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2N7002W
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Weitron Technology | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
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2N7002W
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UTC (友顺) | 功能相似 | SOT-323 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
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2N7002W
|
Comchip Technology (上华科技) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
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2N7002W
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-323-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
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2N7002W
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
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2N7002WT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N7002WT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷
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2N7002WT1G
|
onsemi | 功能相似 | SOT-323-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N7002WT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷
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