技术参数/耗散功率: 4W (Ta), 150W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/额定功率(Max): 4 W
技术参数/耗散功率(Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-204
外形尺寸/封装: TO-204
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6766
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-204 |
High Voltage Power MOSFET Die
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2N6766
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IXYS Semiconductor | 功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die
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2N6766
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Semelab | 功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die
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2N6766
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-204 |
High Voltage Power MOSFET Die
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2N6766
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Harris | 功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die
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2N6766
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
High Voltage Power MOSFET Die
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2N6766E3
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 |
N-CH 200V 30A
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Harris | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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IRF250
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-3 |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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IRF250
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NJS | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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IRF250
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Semelab | 功能相似 | TO-204 |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
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IRF251
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IXYS Semiconductor | 功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
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