技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 1.5 Ω
技术参数/耗散功率: 25 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/上升时间: 30 ns
技术参数/下降时间: 30 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 25000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/制造应用: Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFF430
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Semelab | 类似代替 | BCY |
单 N沟道 500 V 2.5 W 重复雪崩 & DV/DT 额定 晶体管-TO-39
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IRFF430
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-205 |
单 N沟道 500 V 2.5 W 重复雪崩 & DV/DT 额定 晶体管-TO-39
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IRFF430
|
New Jersey Semiconductor | 类似代替 |
单 N沟道 500 V 2.5 W 重复雪崩 & DV/DT 额定 晶体管-TO-39
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JANTXV2N6802
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-39 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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