技术参数/通道数: 1
技术参数/耗散功率: 4W (Ta), 150W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/耗散功率(Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-204-2
外形尺寸/封装: TO-204-2
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6770
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TT Electronics Resistors | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,
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2N6770
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Microchip (微芯) | 功能相似 | TO-204-2 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,
|
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2N6770
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,
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2N6770E3
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 |
N-CH 500V 12A
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IRF450PBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-3 |
TO-3 N-CH 500V 12A
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