技术参数/额定电压(DC): 400 V
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 150 W
技术参数/产品系列: IRF350
技术参数/漏源极电压(Vds): 400 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 14.0 A
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: TO-204
外形尺寸/封装: TO-204
其他/产品生命周期: Unknown
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IXYS Semiconductor | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
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2N6768
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
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Semelab | 功能相似 | TO-3 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
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2N6768
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
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IRF350
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-204 |
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin(2+Tab) TO-3
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IRF350
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IXYS Semiconductor | 完全替代 |
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin(2+Tab) TO-3
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IRF351
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Samsung (三星) | 功能相似 |
N沟道功率MOSFET ， 15A ， 350V / 400V N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V
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JANTX2N6768
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-3 |
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin(2+Tab) TO-3
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JANTX2N6768
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IRF | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin(2+Tab) TO-3
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JANTXV2N6768
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-3 |
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin(2+Tab) TO-3
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JANTXV2N6768
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Microchip (微芯) | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin(2+Tab) TO-3
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