技术参数/额定电压(DC): -80.0 V
技术参数/额定电流: -20.0 A
技术参数/极性: PNP
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 50A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 15 @25A, 2V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 60
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-3
外形尺寸/封装: TO-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tray
其他/最小包装: 100
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N5683
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NTE Electronics | 类似代替 | TO-3 |
NTE ELECTRONICS 2N5683 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60V, 2MHz, 300W, -50A, 15 hFE
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2N5683
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-3 |
NTE ELECTRONICS 2N5683 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60V, 2MHz, 300W, -50A, 15 hFE
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2N5684
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-3 |
高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors
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2N5684
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors
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2N5684
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ETC | 功能相似 |
高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors
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2N5684
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-204 |
高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors
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2N5684G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
ON SEMICONDUCTOR 2N5684G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 2 MHz, 300 W, -50 A, 2 hFE
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JAN2N5684
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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