技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 15 V
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N2925
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-226 |
NTE ELECTRONICS 2N2925 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50V, 360mW, 100mA, 400 hFE
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2N2925
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-226-3 |
NTE ELECTRONICS 2N2925 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50V, 360mW, 100mA, 400 hFE
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2N2925
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | TO-92 |
NTE ELECTRONICS 2N2925 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50V, 360mW, 100mA, 400 hFE
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2N5769
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
Small Signal Transistors
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2N5769
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92-3 |
Small Signal Transistors
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2N5769
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Micross | 功能相似 |
Small Signal Transistors
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BC108C
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Multicomp | 功能相似 | TO-18 |
MULTICOMP BC108C 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 150 MHz, 600 mW, 200 mA, 420 hFE
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BC560B
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Continental Device | 功能相似 |
Transistor PNP BC560/BC560B CONTINENTAL DEVICE RoHS Ampere=1V=45 TO92
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MPSA62
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92 |
达林顿晶体管（ PNP硅） Darlington Transistors(PNP Silicon)
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