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型号： 2N5461RLRAG
描述： JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion
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品 牌： ON Semiconductor (安森美)
封 装： TO-226-3
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
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技术参数/额定电压(DC): -40.0 V

技术参数/额定电流: -10.0 mA

技术参数/极性: P-Channel

技术参数/耗散功率: 350 mW

技术参数/输入电容: 7.00 pF

技术参数/漏源极电压(Vds): 40.0 V

技术参数/栅源击穿电压: 40.0 V

技术参数/击穿电压: 40 V

技术参数/输入电容(Ciss): 7pF @15V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 350 mW

技术参数/工作温度(Max): 135 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 350 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-226-3

外形尺寸/高度: 5.33 mm

外形尺寸/封装: TO-226-3

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 135℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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