技术参数/频率: 15 MHz
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 300 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 30
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-39-3
外形尺寸/长度: 9.4 mm
外形尺寸/宽度: 9.4 mm
外形尺寸/高度: 6.6 mm
外形尺寸/封装: TO-39-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Box
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N5415
|
Multicomp | 功能相似 | TO-39 |
STMICROELECTRONICS 2N5415 单晶体管 双极, PNP, -200 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 30 hFE
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2N5415
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS 2N5415 单晶体管 双极, PNP, -200 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 30 hFE
|
|||
2N5415
|
CDIL | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS 2N5415 单晶体管 双极, PNP, -200 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 30 hFE
|
|||
2N5415
|
Harris | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS 2N5415 单晶体管 双极, PNP, -200 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 30 hFE
|
|||
2N5415
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-5 |
STMICROELECTRONICS 2N5415 单晶体管 双极, PNP, -200 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 30 hFE
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2N5416
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-39 |
t-Pnp Si- Amp & Sw
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||
|
|
ETC | 功能相似 |
t-Pnp Si- Amp & Sw
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2N5416
|
Central Semiconductor | 功能相似 | TO-39-3 |
t-Pnp Si- Amp & Sw
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2N5416
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-5 |
t-Pnp Si- Amp & Sw
|
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2N5416
|
CDIL | 功能相似 |
t-Pnp Si- Amp & Sw
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2N5416
|
NTE Electronics | 功能相似 |
t-Pnp Si- Amp & Sw
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2N5416
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Semelab | 功能相似 | TO-39 |
t-Pnp Si- Amp & Sw
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2N5416G4
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Semelab | 功能相似 | BCY |
1000mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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JANTX2N5416S
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-39 |
PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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JANTXV2N5416S
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-39 |
PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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