技术参数/额定电压(DC): -120 V
技术参数/额定电流: -600 mA
技术参数/极性: PNP
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 120 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.6A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @10mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N5400G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
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2N5400RA
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 3Pin TO-92 T/R
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2N5400RA
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-92-3 |
Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 3Pin TO-92 T/R
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2N5400RA
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 |
Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 3Pin TO-92 T/R
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2N5400RLRPG
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-92-3 |
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
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