技术参数/漏源极电阻: 2.5 kΩ
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/漏源击穿电压: 15 V
技术参数/击穿电压: 50 V
技术参数/输入电容(Ciss): 7pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-18-3
外形尺寸/封装: TO-18-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Central Semiconductor | 功能相似 |
VISHAY 2N4338 晶体管, JFET, JFET, -50 V, 200 µA, 600 µA, 1 V, TO-18, JFET
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InterFET | 功能相似 | TO-18-3 |
VISHAY 2N4338 晶体管, JFET, JFET, -50 V, 200 µA, 600 µA, 1 V, TO-18, JFET
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2N4338
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-18 |
VISHAY 2N4338 晶体管, JFET, JFET, -50 V, 200 µA, 600 µA, 1 V, TO-18, JFET
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2N4338
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-18 |
VISHAY 2N4338 晶体管, JFET, JFET, -50 V, 200 µA, 600 µA, 1 V, TO-18, JFET
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2N4338
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-18-3 |
VISHAY 2N4338 晶体管, JFET, JFET, -50 V, 200 µA, 600 µA, 1 V, TO-18, JFET
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2N4338
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Calogic | 功能相似 | BCY |
VISHAY 2N4338 晶体管, JFET, JFET, -50 V, 200 µA, 600 µA, 1 V, TO-18, JFET
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Intersil (英特矽尔) | 功能相似 |
Transistor
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2N4341
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InterFET | 功能相似 |
Transistor
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2N4341
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-206 |
Transistor
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NTE458
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-92 |
NTE ELECTRONICS NTE458 场效应管, JFET, N沟道, -50V, TO-92
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