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首页   分立器件   晶体管   双极性晶体管   2N3879
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型号： 2N3879
描述： NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
商品二维码
品 牌： Microsemi (美高森美)
封 装： TO-66
货 期：
包装方式： Tray
标准包装数： 1
173.57  元 173.57元
1+:
￥ 199.5998
10+:
￥ 194.3928
50+:
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100+:
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200+:
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价格
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￥194.3928
￥190.4008
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价格 ￥ 199.5998 ￥ 194.3928 ￥ 190.4008 ￥ 189.0123 ￥ 187.9709
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技术参数/耗散功率: 35 W

技术参数/工作温度(Max): 200 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 35000 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-66

外形尺寸/封装: TO-66

物理参数/材质: Silicon

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tray

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N3879 2N3879 Semelab 功能相似 TO-66
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 75V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2Pin, TO-66, 2Pin
2N3879 2N3879 Inchange Semiconductor 功能相似
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 75V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2Pin, TO-66, 2Pin
PDF
2N3879 2N3879 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-66
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 75V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2Pin, TO-66, 2Pin
PDF
2N5430 2N5430 NTE Electronics 功能相似
Trans GP BJT NPN 100V 7A 40000mW 3Pin(2+Tab) TO-66
PDF
2N5430 2N5430 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-66-2
Trans GP BJT NPN 100V 7A 40000mW 3Pin(2+Tab) TO-66
PDF
2N5430 2N5430 Central Semiconductor 功能相似 TO-66
Trans GP BJT NPN 100V 7A 40000mW 3Pin(2+Tab) TO-66
PDF
2N5430 2N5430 Microchip (微芯) 功能相似 TO-66-2
Trans GP BJT NPN 100V 7A 40000mW 3Pin(2+Tab) TO-66

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