技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 300 @1mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TO-78-6
外形尺寸/封装: TO-78-6
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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TT Electronics | 功能相似 | TO-77 |
Trans 2pnp 50mA 60V To78-6
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-78-6 |
Trans 2pnp 50mA 60V To78-6
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2N3806
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New Jersey Semiconductor | 功能相似 |
Trans 2pnp 50mA 60V To78-6
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2N3806
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Semelab | 功能相似 | TO-77 |
Trans 2pnp 50mA 60V To78-6
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2N3811L
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-78-6 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-77, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-77, 6 PIN
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2N3811L
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Semicoa Semiconductor | 功能相似 | TO-77 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-77, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-77, 6 PIN
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JANS2N3811
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-78 |
PNP Transistor as One Dual Unit
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JANS2N3811
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Semicoa Semiconductor | 功能相似 | TO-78 |
PNP Transistor as One Dual Unit
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