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型号: 2N3635
描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
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封 装: TO-39-3
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技术参数/耗散功率: 1000 mW

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 50

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

封装参数/封装: TO-39-3

外形尺寸/长度: 9.4 mm

外形尺寸/宽度: 9.4 mm

外形尺寸/高度: 6.6 mm

外形尺寸/封装: TO-39-3

其他/产品生命周期: Active

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N3635 2N3635 New Jersey Semiconductor 功能相似
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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2N3635 2N3635 Motorola (摩托罗拉) 功能相似 TO-39
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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2N3635 2N3635 Central Semiconductor 功能相似 TO-39-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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JAN2N3635 JAN2N3635 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-39
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
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JAN2N3635 JAN2N3635 Semicoa Semiconductor 功能相似 TO-39
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
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JAN2N3635 JAN2N3635 ON Semiconductor (安森美) 功能相似 TO-39-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
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JANTX2N3635 JANTX2N3635 Raytheon (雷神) 功能相似
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
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JANTX2N3635 JANTX2N3635 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-39
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
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