技术参数/耗散功率: 0.4 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 400 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 400 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-46-3
外形尺寸/封装: TO-46-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准:
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
JAN2N3485A
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-206 |
TO-46 PNP 60V 0.6A
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JANTXV2N3485A
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-206 |
TO-46 PNP 60V 0.6A
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JANTXV2N3485A
|
Semicoa Semiconductor | 完全替代 | TO-46 |
TO-46 PNP 60V 0.6A
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