技术参数/极性: PNP
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-39
外形尺寸/封装: TO-39
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-39-3 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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2N3467
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Advanced Semiconductor | 完全替代 | TO-39 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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2N3467
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Motorola (摩托罗拉) | 完全替代 | TO-39 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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Central Semiconductor | 功能相似 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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2N4029
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Micro Electronics | 功能相似 | BCY |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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2N4029
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Semicoa Semiconductor | 功能相似 | TO-18 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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2N4029
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-18-3 |
PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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