技术参数/耗散功率: 0.5 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 500 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-18-3
外形尺寸/封装: TO-18-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-18 |
MULTICOMP 2N2906A 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 |
MULTICOMP 2N2906A 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
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2N2906A
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Semicoa Semiconductor | 功能相似 | BCY |
MULTICOMP 2N2906A 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
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2N2906A
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Raytheon (雷神) | 功能相似 |
MULTICOMP 2N2906A 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
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2N2906A
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-18-3 |
MULTICOMP 2N2906A 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
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2N2906A
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-205 |
MULTICOMP 2N2906A 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
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2N2906A
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Semelab | 功能相似 | TO-18 |
MULTICOMP 2N2906A 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
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2N2906A
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Multicomp | 功能相似 | TO-18 |
MULTICOMP 2N2906A 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
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2N2906AG4
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Semelab | 功能相似 | BCY |
600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-18, 3 PIN
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2N2906AL
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-18-3 |
抗辐射 RADIATION HARDENED
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Raytheon (雷神) | 类似代替 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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2N2907A
|
NTE Electronics | 类似代替 | 3 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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2N2907A
|
Micro Commercial Components (美微科) | 类似代替 | TO-206 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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2N2907A
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Diotec Semiconductor | 类似代替 | TO-92 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | CASE 206AA-01 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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2N2907A
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-18 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
|
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2N2907A
|
Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-18-3 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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2N2907A
|
KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) | 类似代替 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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2N2907A
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Taitron | 类似代替 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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2N2907A
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Central Semiconductor | 类似代替 | TO-18 |
MULTICOMP 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 |
PNP 60V 0.6A
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2N2907AU
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Solid State Devices | 功能相似 |
PNP 60V 0.6A
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2N2907AXS-1
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 |
PNP 60V 0.6A
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JANTX2N2906A
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Microchip (微芯) | 功能相似 | TO-18-3 |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin TO-18
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JANTX2N2906AL
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-18 |
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
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JANTXV2N2906A
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-18 |
PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
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