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描述: High Precision Buffered Voltage Reference, 8 SOIC 3.9mm(0.15in) T/R
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封 装: SOIC-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/容差: ±0.08 %

技术参数/输出电流: 20 mA

技术参数/供电电流: 550 µA

技术参数/输出电压(Min): 2.5 V

技术参数/输入电压: 2.7V ~ 5.5V

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SOIC-8

外形尺寸/封装: SOIC-8

物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃ (TA)

物理参数/温度系数: ±50 ppm/℃

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: 无铅

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
MCP1501-25E/SN MCP1501-25E/SN Microchip (微芯) 完全替代 SOIC-8
MCP1501 电压参考 Microchip MCP1501 是高精度缓冲电压,可提供或吸收 20mA 的电流。 该设备是基于低漂移带隙的参考,利用基于斩波的放大器将偏移降低为零,并提供高电流输出。 ### 特点 最大温度系数:50 ppm/°C,-40°C 至 +125°C 初始精确度:0.08% 工作温度范围:-40 至 +125°C 低典型工作电流:140 μA 线路调节:最大 50 ppm/V 负载调节:最大 40 ppm/mA 输出噪声(0.1 Hz 至 10 Hz): ### 电压参考,Microchip
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MCP1501-25E/SN MCP1501-25E/SN Microchip/微芯 完全替代 SOIC8
MCP1501 电压参考 Microchip MCP1501 是高精度缓冲电压,可提供或吸收 20mA 的电流。 该设备是基于低漂移带隙的参考,利用基于斩波的放大器将偏移降低为零,并提供高电流输出。 ### 特点 最大温度系数:50 ppm/°C,-40°C 至 +125°C 初始精确度:0.08% 工作温度范围:-40 至 +125°C 低典型工作电流:140 μA 线路调节:最大 50 ppm/V 负载调节:最大 40 ppm/mA 输出噪声(0.1 Hz 至 10 Hz): ### 电压参考,Microchip

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