芯片AI顾问
技术参数/输出接口数: 1
技术参数/输出电压: 1.5V ~ 3V
技术参数/输出电流: 10 A
技术参数/耗散功率: 2200 mW
技术参数/静态电流: 800 µA
技术参数/调节输出数: 1
技术参数/过温保护: Yes
技术参数/拓扑结构: Buck
技术参数/输入电压(Max): 28 V
技术参数/输入电压(Min): 3 V
技术参数/输出电压(Max): 3 V
技术参数/输出电压(Min): 1.5 V
技术参数/输出电流(Max): 10 A
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2200 mW
技术参数/输入电压: 3V ~ 28V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 24
封装参数/封装: VQFN-24
外形尺寸/封装: VQFN-24
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TPS51116RGE
|
TI (德州仪器) | 完全替代 | VQFN-24 |
完整的DDR ， DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器， 3 -A LDO ，缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE
|
||
TPS51116RGER
|
TI (德州仪器) | 类似代替 | VQFN-24 |
DDR/DDR2/DDR3的同步降压控制器和LDO
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价