技术参数/漏源极电阻: 42 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 330 W
技术参数/产品系列: IRFS4229
技术参数/阈值电压: 5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 250 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 45.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 4560pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 330 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Rail, Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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IRF644SPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SMD-263 |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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IRF644SPBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | D2PAK |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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IRFS4229TRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
晶体管, MOSFET, PDP 开关, N沟道, 45 A, 250 V, 0.042 ohm, 10 V, 5 V
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IRFS4229TRLPBF
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IFA | 类似代替 |
晶体管, MOSFET, PDP 开关, N沟道, 45 A, 250 V, 0.042 ohm, 10 V, 5 V
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SUM45N25-58-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-263-3 |
N沟道250 -V （ D- S） 175℃ MOSFET N-Channel 250-V (D-S) 175 °C MOSFET
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