技术参数/额定电压(DC): 45.0 V
技术参数/额定电流: 800 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.8A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 160 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N2218A
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | TO-39 |
MULTICOMP 2N2218A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 800 mW, 800 mA, 20 hFE
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-39 |
MULTICOMP 2N2218A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 800 mW, 800 mA, 20 hFE
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2N2218A
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-39 |
MULTICOMP 2N2218A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 800 mW, 800 mA, 20 hFE
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2N2218A
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CDIL | 功能相似 |
MULTICOMP 2N2218A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 800 mW, 800 mA, 20 hFE
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BC556ABU
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
ON Semiconductor BC556ABU , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:110, 10 MHz, 3引脚 TO-92封装
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BCW66GLT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
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