技术参数/耗散功率: 0.83 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/输入电容(Ciss): 24pF @10V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 830 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BS170
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GE (通用电气) | 类似代替 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170
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Major Brands | 类似代替 | TO-92 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170_D26Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D26Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
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BS170_D27Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D27Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
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BS170_D74Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92-3 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3Pin TO-92 Ammo
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BS170_D75Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D75Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
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BS170_D75Z
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D75Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
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