技术参数/上升/下降时间: 20ns, 10ns
技术参数/输出接口数: 1
技术参数/耗散功率: 970 mW
技术参数/下降时间(Max): 44 ns
技术参数/上升时间(Max): 180 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 970 mW
技术参数/电源电压: 11V ~ 19V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 5 mm
外形尺寸/宽度: 4 mm
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -25℃ ~ 125℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IR1169STRPBF
|
Infineon (英飞凌) | 完全替代 | SOIC-8 |
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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