技术参数/额定电压(DC): -60.0 V
技术参数/额定电流: -1.80 A
技术参数/额定功率: 3.1 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.5 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: -60.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -1.80 A
技术参数/上升时间: 63 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 270pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2 W
技术参数/下降时间: 31 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/封装: TO-261-4
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 电源管理
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFL9014
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | SOT-223 |
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
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IRFL9014
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-261-4 |
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
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IRFL9014
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Vishay Intertechnology | 完全替代 | SOT-223 |
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
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IRFL9014TR
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
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IRFL9014TR
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-261-4 |
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
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IRFL9014TR
|
International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | SOT-223 |
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
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IRFL9014TRPBF
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | SOT-223 |
TRANSISTOR 1.8A, 60V, 0.5Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Power
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IRFL9014TRPBF
|
VISHAY | 类似代替 | SOT223 |
TRANSISTOR 1.8A, 60V, 0.5Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Power
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||
IRFL9014TRPBF
|
Vishay Dale (威世达勒) | 类似代替 |
TRANSISTOR 1.8A, 60V, 0.5Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Power
|
|||
IRFL9014TRPBF
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-261-4 |
TRANSISTOR 1.8A, 60V, 0.5Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Power
|
||
IRFL9014TRPBF
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOT-223 |
TRANSISTOR 1.8A, 60V, 0.5Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Power
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IRFL9014TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOT-223 |
TRANSISTOR 1.8A, 60V, 0.5Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Power
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NTF2955T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
ON SEMICONDUCTOR NTF2955T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -60 V, 170 mohm, 20 V, -4 V
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NTF2955T1G
|
onsemi/安森美 | 功能相似 | SOT-223 |
ON SEMICONDUCTOR NTF2955T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -60 V, 170 mohm, 20 V, -4 V
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