技术参数/钳位电压: 69.4 V
技术参数/测试电流: 1 mA
技术参数/脉冲峰值功率: 1500 W
技术参数/最小反向击穿电压: 47.8 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/工作结温: -65℃ ~ 150℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: SMC
外形尺寸/长度: 7.11 mm
外形尺寸/宽度: 6.1 mm
外形尺寸/高度: 2.26 mm
外形尺寸/封装: SMC
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 汽车级
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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1.5SMC22AT3G
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Littelfuse (力特) | 类似代替 | SMC |
ON SEMICONDUCTOR 1.5SMC22AT3G TVS二极管, TVS, 1.5SMC Series, 单向, 18.8 V, 30.6 V, DO-214AB, 2 引脚 新
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1.5SMC51AT3G
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Littelfuse (力特) | 功能相似 | DO-214AB-2 |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1.5SMC51AT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-214AB |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1.5SMC51AT3G
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Z-TEK (力特電子) | 功能相似 |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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