温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
型号: 1N6373G
描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
商品二维码
封 装: DO-201AD
货 期:
包装方式: Box
标准包装数: 1
2.19  元 2.19元
5+:
¥ 2.9579
25+:
¥ 2.7388
50+:
¥ 2.5854
100+:
¥ 2.5197
500+:
¥ 2.4758
2500+:
¥ 2.4211
5000+:
¥ 2.3991
10000+:
¥ 2.3663
数量
5+
25+
50+
100+
500+
价格
2.9579
2.7388
2.5854
2.5197
2.4758
价格 2.9579 2.7388 2.5854 2.5197 2.4758
起批量 5+ 25+ 50+ 100+ 500+
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(7788) 起订量(5)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
Chip AI consultant  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/击穿电压: 6.00 V

技术参数/针脚数: 2

技术参数/钳位电压: 9.4 V

技术参数/测试电流: 1 mA

技术参数/最大反向击穿电压: 6 V

技术参数/脉冲峰值功率: 1500 W

技术参数/最小反向击穿电压: 6 V

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/工作结温: -65℃ ~ 175℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 2

封装参数/封装: DO-201AD

外形尺寸/长度: 9.5 mm

外形尺寸/封装: DO-201AD

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Box

其他/制造应用: 消费电子产品, 工业, 通用, 医用, 电源管理, 自动化与过程控制, 通信与网络

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: 无铅

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
1N6373RL4G 1N6373RL4G Littelfuse (力特) 完全替代 DO-201AD
ON SEMICONDUCTOR 1N6373RL4G. 二极管, TVS, 1.5KW, 5V, 41A, 整卷
PDF
MPTE-5RL4G MPTE-5RL4G ON Semiconductor (安森美) 类似代替 DO-201AD
1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
PDF

最新上架产品

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空