技术参数/额定电压(DC): 5.10 V
技术参数/容差: ±5 %
技术参数/额定功率: 500 mW
技术参数/正向电压: 1.1V @200mA
技术参数/耗散功率: 0.5 W
技术参数/测试电流: 20 mA
技术参数/稳压值: 5.1 V
技术参数/正向电压(Max): 1.1V @200mA
技术参数/额定功率(Max): 500 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-35
外形尺寸/封装: DO-35
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N5231B-TP
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | DO-35 |
DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)
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1N5231B-TR
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | 2 |
VISHAY 1N5231B-TR 齐纳二极管, 500mW, 5.1V, DO-35
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1N5231B-TR
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | DO-35 |
VISHAY 1N5231B-TR 齐纳二极管, 500mW, 5.1V, DO-35
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1N5231B-TR
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Taitron | 功能相似 |
VISHAY 1N5231B-TR 齐纳二极管, 500mW, 5.1V, DO-35
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1N5231B-TR
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-35 |
VISHAY 1N5231B-TR 齐纳二极管, 500mW, 5.1V, DO-35
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1N5231B-TR
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-35 |
VISHAY 1N5231B-TR 齐纳二极管, 500mW, 5.1V, DO-35
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1N5231BTR
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | DO-35-2 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5231BTR 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5231BTR
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Central Semiconductor | 功能相似 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5231BTR 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5231BTR
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5231BTR 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5231BTR
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5231BTR 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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