技术参数/容差: ±2 %
技术参数/正向电压: 1.1V @200mA
技术参数/耗散功率: 500 mW
技术参数/测试电流: 20 mA
技术参数/稳压值: 5.1 V
技术参数/额定功率(Max): 500 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: DO-35-2
外形尺寸/长度: 3.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.7 mm
外形尺寸/高度: 1.7 mm
外形尺寸/封装: DO-35-2
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N5231C
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-35 |
Zener Diode, Single, Two Terminal, 5.1V V(Z), 2%, DO-204Ah
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1N5231C
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-35 |
Zener Diode, Single, Two Terminal, 5.1V V(Z), 2%, DO-204Ah
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1N5231C
|
PANJIT Touch Screens | 功能相似 | DO-35 |
Zener Diode, Single, Two Terminal, 5.1V V(Z), 2%, DO-204Ah
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|
1N5231C
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 |
Zener Diode, Single, Two Terminal, 5.1V V(Z), 2%, DO-204Ah
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1N5231C
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | DO-35 |
Zener Diode, Single, Two Terminal, 5.1V V(Z), 2%, DO-204Ah
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1N5231C-TAP
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Vishay Siliconix | 类似代替 | DO-35 |
DIODE 5.1V, 0.5W(1/2W), SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode
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1N5231C-TAP
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-35 |
DIODE 5.1V, 0.5W(1/2W), SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode
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1N5231CTR
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Central Semiconductor | 功能相似 | DO-35 |
齐纳二极管 500mW，1N52 系列，Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor
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