技术参数/容差: ±5 %
技术参数/击穿电压: 39.0 V
技术参数/正向电压: 1.2V @200mA
技术参数/耗散功率: 1.3 W
技术参数/测试电流: 6.5 mA
技术参数/稳压值: 39 V
技术参数/稳压电流: 23 mA
技术参数/正向电压(Max): 1.2V @200mA
技术参数/额定功率(Max): 1.3 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.3 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-41
外形尺寸/高度: 4.1 mm
外形尺寸/封装: DO-41
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 5000
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Central Semiconductor | 类似代替 | DO-41 |
Zener 1.5W DIODE
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Sunmate | 类似代替 | DO-41 |
Zener 1.5W DIODE
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XKST | 完全替代 |
VISHAY 1N4754A 单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
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1N4754A
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | DO-41 |
VISHAY 1N4754A 单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
|
||
1N4754A
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | DO-41 |
VISHAY 1N4754A 单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
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1N4754A
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-41 |
VISHAY 1N4754A 单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
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1N4754A
|
Panjit (强茂) | 完全替代 | DO-41 |
VISHAY 1N4754A 单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
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1N4754A
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Visay | 完全替代 |
VISHAY 1N4754A 单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
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1N4754A
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Comchip Technology (上华科技) | 完全替代 |
VISHAY 1N4754A 单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
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1N4754A
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | DO-41-2 |
VISHAY 1N4754A 单管二极管 齐纳, 39 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | 017AH |
Diode Zener Single 39V 5% 1W 2Pin DO-41 T/R
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Diodes (美台) | 功能相似 | DO-41 |
Diode Zener Single 39V 5% 1W 2Pin DO-41 T/R
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