技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 1.00 A
技术参数/电容: 15.0 pF
技术参数/输出电流: ≤1.00 A
技术参数/针脚数: 2
技术参数/正向电压: 1.1 V
技术参数/极性: Standard
技术参数/热阻: 25℃/W (RθJL)
技术参数/反向恢复时间: 2 µs
技术参数/正向电流: 1 A
技术参数/最大正向浪涌电流(Ifsm): 30 A
技术参数/正向电压(Max): 1.1V @1A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-41
外形尺寸/宽度: 2.7 mm
外形尺寸/封装: DO-41
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Toshiba (东芝) | 类似代替 | DO-41 |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
|
||
1N4005
|
DC Components | 类似代替 | Ammo Pack |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
|
||
1N4005
|
Microsemi (美高森美) | 类似代替 | DO-41 |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
|
||
1N4005
|
LiteOn (光宝) | 类似代替 | DO-41 |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
|
||
1N4005
|
Gulfsemi | 类似代替 | DO-41 |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
|
||
1N4005RLG
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4005RLG 标准恢复功率整流器
|
||
1N4937G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4937G 快速恢复功率整流器
|
||
|
|
Rectron Semiconductor | 功能相似 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4937G 快速恢复功率整流器
|
||
1N4937G
|
Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4937G 快速恢复功率整流器
|
||
1N4937G
|
Multicomp | 功能相似 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4937G 快速恢复功率整流器
|
||
1N4937G
|
LiteOn (光宝) | 功能相似 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4937G 快速恢复功率整流器
|
||
1N4937G
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-41 |
ON SEMICONDUCTOR 1N4937G 快速恢复功率整流器
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价