技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/电容: 4.7 μF
技术参数/容差: ±10 %
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/额定电压: 50 VDC
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: Radial
外形尺寸/封装: Radial
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
199D475X0050D1V1E3
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Vishay Sprague | 类似代替 | Through Hole |
CAP TANT 4.7uF 50V 20% RADIAL
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199D475X0050D2B1E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | Through Hole |
Cap Tant Solid 4.7uF 50V 20% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ T/R
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199D475X0050D2B1E3
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Vishay Sprague | 功能相似 |
Cap Tant Solid 4.7uF 50V 20% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ T/R
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199D475X9050D2V1E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
Cap Tant Solid 4.7uF 50V 10% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk
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199D475X9050D2V1E3
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Vishay Sprague | 功能相似 |
Cap Tant Solid 4.7uF 50V 10% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk
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MCDT4R7K50-1-RH
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Multicomp | 功能相似 | E |
MULTICOMP MCDT4R7K50-1-RH 钽电容, 4.7uF 10%容差 50V
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