技术参数/频率: 50 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1.25 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 25
技术参数/额定功率(Max): 1.25 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 40
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1250 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-126-3
外形尺寸/长度: 7.8 mm
外形尺寸/宽度: 2.7 mm
外形尺寸/高度: 10.8 mm
外形尺寸/封装: TO-126-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Power Management, Audio, 电源管理, Industrial, 音频, 工业
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BD136
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD135
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BD136
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CDIL | 功能相似 |
12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD135
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | SIP |
12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD135
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BD136
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-126-3 |
12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD135
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BD136
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CJ (长电科技) | 功能相似 | TO-126 |
12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD135
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BD136
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 |
12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD135
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BD136
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | CASE 77-08 |
12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD135
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BD136
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | TO-126 |
12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD135
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BD13610STU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-126-3 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BD13610STU
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BD13616STU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-126-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13616STU 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 12.5 W, -1.5 A, 100 hFE
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
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BD1366S
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-126-3 |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
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BD1366STU
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail
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BD136G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
ON SEMICONDUCTOR BD136G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新
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