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型号: PUMD13,115
描述: NXP PUMD13,115 单晶体管 双极, NPN, PNP, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE
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封 装: SOT-363-6
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数: 6

技术参数/极性: NPN, PNP

技术参数/耗散功率: 200 mW

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V

技术参数/集电极最大允许电流: 100mA

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @10mA, 5V

技术参数/额定功率(Max): 300 mW

技术参数/直流电流增益(hFE): 100

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 300 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

封装参数/封装: SOT-363-6

外形尺寸/长度: 2.2 mm

外形尺寸/宽度: 1.35 mm

外形尺寸/高度: 1 mm

外形尺寸/封装: SOT-363-6

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

海关信息/ECCN代码: EAR99

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