技术参数/额定功率: 1 W
技术参数/上升/下降时间: 40ns, 20ns
技术参数/输出接口数: 2
技术参数/输出电压: 600 V
技术参数/输出电流: 1.9.2.3 A
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 14
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/上升时间: 60 ns
技术参数/下降时间: 35 ns
技术参数/下降时间(Max): 35 ns
技术参数/上升时间(Max): 60 ns
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW
技术参数/电源电压: 10V ~ 20V
技术参数/电源电压(Max): 20 V
技术参数/电源电压(Min): 10 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 14
封装参数/封装: SOIC-14
外形尺寸/长度: 8.74 mm
外形尺寸/宽度: 3.99 mm
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-14
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 电源管理, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRS21814STRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOIC-14 |
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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IRS21814STRPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOIC-14 |
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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IRS21844SPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRS21844SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, SOIC-14
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IRS21844SPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOIC-14 |
INFINEON IRS21844SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, SOIC-14
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IRS21844STRPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOIC-14 |
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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