技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100
技术参数/直流电流增益(hFE): 100
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: Industrial, Automotive, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMUN2114LT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMUN2114LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23
|
||
PDTA114YT,215
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PDTA114YT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价